电子背散射衍射（EBSD）花样采集

电子剂量这个参数比束流更重要，也可能比EBSD的花样分辨率更重要。基本上，当束流保持不变，增大每帧的曝光时间（应避免过曝）或增加合并的帧数，花样的电子剂量增加。

电子剂量可以定义为：

电子剂量=束流x曝光时间 （单位：nAms）

首先得知道，一些材料（比如很多低原子序数相，包括很多常见材料）衍射弱，需要相对高的剂量来产生可标定的花样。矿物如斜长石（CaAl2Si2O8）通常需要约40 nAms的剂量来产生可标定的花样，而Ni合金样品（一种衍射强烈的材料）可能只需要约2 nAms的剂量。

然而，如果考虑到材料的衍射行为，增加电子剂量还会增加信噪比，反而大大提高EBSD标定的精度。如接下来的钢样品中示例EBSD花样所展示的：第一个EBSD花样用中等剂量约40 nAms采集，花样的质量很高，细节足够高质量的标定。第二个EBSD花样用非常高的1000 nAms剂量采集，花样的质量特别高（远高于霍夫标定算法的需要），这个EBSD花样可以用于HR-EBSD技术来测量弹性应变，或者高级花样比对分析来确定晶胞的改变。

铁素体晶粒的EBSD花样。左：电子剂量约 40 nAms；右：电子剂量约1000 nAms

最后，在探测衍射带并标定EBSD花样时，即使信噪比很低（亦即噪声很大的花样），霍夫变换（常规标定）也是非常稳健的。除非需要更高精度或额外的信息，没有必要用高电子剂量采集高质量的花样。

更严格的考察电子剂量，请参考技术/光纤板和灵敏度页面。

EBSD检测的信号主要是背散射电子（BSE），大部分不包含衍射信息。其强度改变剧烈，从荧光屏中心附近最强到荧光屏边缘非常低。虽然下图展示的花样照片中衍射带肉眼可见，但是如果去掉不希望的背散射电子的信号，让强度分布更均匀（平场处理），那么对常规的基于霍夫变换的标定结果会更好。我们可以通过采集不包含衍射信号的背底图像，然后使用静态背底扣除，或者使用动态背底校正，来增强最终的EBSD花样。

EBSD花样的背底校正过程。左：原始EBSD花样；中：背底图片；右：背底校正后的EBSD花样

背底图片可以通过快速扫描多个取向的晶粒（例如：跨越很多不同的晶粒，通常在相对低的放大倍数），然后累积EBSD探测器的信号。静态背底的优势是背底信号同样也包含荧光屏的瑕疵（例如上图中花样上部中心的痕迹），这些在校正后的EBSD花样中也同样去除了。

然而，动态背底校正过程不需要预先采集的背底照片，它通过EBSD花样自己生成背底。虽然不能去除静态瑕疵，但是它能弥补分析相时，不同原子序数带来的强度改变。

总之，静态背底校正结合动态背底校正，对大多数材料都能给出很好的结果。