EBSD几何设置 

电子束、样品和探测器之间的几何位置关系是EBSD分析中一项重要的设置。优化几何设置有利于大多数应用获得最佳的结果。有时候需要对某些设置妥协,以满足不寻常的样品或特殊应用。

设置EBSD实验需要考虑的参数有:

这些参数可以在SEM上调整(例如,调整样品台位置),也可以调整EBSD探测器位置(伸入和退出。在Symmetry S2这类探测器上,还可以调整荧光屏的升高和降低)。下图总结了典型的EBSD设置中的这些参数。

关于如何调整这些参数,我们将分以下几点详细介绍。同时,我们还会介绍特殊的透射式EBSD——TKD的细节。

EBSD实验的典型几何设置及相关参数示意图

EBSD实验的几何设置相关参数的示意图。

历史上,EBSD实验曾经用70.5°的倾转角,因为在这个倾转角条件下,(100)单晶硅的<114>方向正好位于花样中心,很容易校正系统。

现代EBSD系统可以自动做几何位置的校正,而我们仍然沿用约70°的倾转角,原因有两点:

  • 高的倾转角能产生更多的衍射信号,从而改进了EBSD花样的信噪比,在相同束流条件下,使分析速度更快。
  • 虽然沿样品斜面垂直方向的分辨率相比水平方向明显变差(3倍左右),但这对于大多数实验来讲是可以接受的。更高的倾转角会使分辨率更差。

下面的照片显示了降低倾转角对花样的影响。请注意花样的信噪比随倾转角降低在降低,同时在花样下部出现衍射带的反衬度。

倾转70°单晶Si样品的衍射花样。倾转60°单晶Si样品的衍射花样。倾转50°单晶Si样品的衍射花样,显示了反衬度和信号损失。
倾转70°单晶Si样品的衍射花样。倾转60°单晶Si样品的衍射花样。倾转50°单晶Si样品的衍射花样,显示了反衬度和信号损失。
倾转70°单晶Si样品的衍射花样。倾转60°单晶Si样品的衍射花样。倾转50°单晶Si样品的衍射花样,显示了反衬度和信号损失。
单晶Si在不同倾转角的衍射花样(左:70°;中:60°;右:50°)。

倾转角的设置可以由倾转SEM样品台至需要的值,或使用预倾台。如何选择,很大程度上取决于SEM和EBSD探测器相对于样品台倾斜轴的设置。倾转样品台的好处是,对大多数SEM来讲,样品可以在倾转的X-Y平面上移动,工作距离以及电子束、样品和EBSD的几何位置关系将保持不变。

最近有一些在低倾转角甚至水平几何位置采集EBSD的探索。早期研究表明,衬度反转带来了严重的问题,但是采用直接电子探测(DeD,Direct electron Detection)技术,结合电子能量过滤,可以弥补这一问题。即使如此,信噪比也非常低,因此需要极其高的电子剂量才能有效地用低倾转角进行分析。

工作距离是设置EBSD实验时,一项非常重要的要考虑的参数。主要是因为它会影响花样中心在EBSD荧光屏上的位置。

对大多数常规实验,在最佳的位置时,花样中心大约位于荧光屏上部¾位置。这也会受到电子束能量及要分析的材料原子序数的影响。

当选择最佳工作距离时,需要考虑以下因素的影响:

  • SEM空间分辨率一般在低工作距离时更好,特别是对于低加速电压。
  • EBSD探测器安装在特定的高度,对应最佳的工作距离。虽然允许偏离此位置一定距离,但工作距离最好保持在推荐位置5mm范围内。
  • 如果EBSD探测器有升降控制(就像牛津仪器的Symmetry S2探测器),对任何工作距离,探测器都可以调整升降到最佳位置。
  • EDS系统有特定的推荐分析工作距离,如果样品定位偏离该工作距离太远,那么同时采集EDS和EBSD时,EDS的计数将减少;计数率从分析区域的顶部到底部也会改变较大(特别是低倍观察时)。适当的退出EDS探测器可以减小这个问题。
  • 如果工作距离太长,EBSD探测器有可能遮挡EDS探测器,导致没有任何信号。调整EBSD的升降或稍微退出一点可以解决这个问题。
  • 样品大小将决定可以安全操作的最小工作距离。

下图展示了工作距离从14.9 mm增加至22.5 mm时,EBSD花样质量的改变。在工作距离较短时,花样下部噪声较大;而当工作距离较长时,花样上部噪声较大。在这几个位置,EBSD仍然都能正确标定,但是当工作距离偏离最佳位置更多时,信号损失将更大,有可能影响标定。

从铁素体样品中采集的EBSD花样,短工作距离的花样中心高。从铁素体样品中采集的EBSD花样,标准的工作距离的花样中心最佳。从铁素体样品中采集的EBSD花样,长工作距离的花样中心低。
从铁素体样品中采集的EBSD花样,短工作距离的花样中心高。从铁素体样品中采集的EBSD花样,标准的工作距离的花样中心最佳。从铁素体样品中采集的EBSD花样,长工作距离的花样中心低。
从铁素体样品中采集的EBSD花样,短工作距离的花样中心高。从铁素体样品中采集的EBSD花样,标准的工作距离的花样中心最佳。从铁素体样品中采集的EBSD花样,长工作距离的花样中心低。

铁素体的EBSD花样,采集自不同的工作距离,左:14.9 mm;中:18.9 mm;右:22.5 mm。花样中心的位置在图中标记为绿色十字。

当EBSD探测器安装好后,一般工程师会根据主机SEM的样品仓,为EBSD探测器的插入设置一个推荐的安全物理极限。完全插入的位置通常使得荧光屏离样品足够近,以获得大的立体角(>90°)。有赖于荧光屏的大小,探测器距离通常在15至30 mm。

通常把探测器完全伸入,用最小的探测器距离采集数据并不是最好的。对特定的应用,以下因素会影响决定探测器的最佳距离:

  • 大的探测器距离更安全:如果打算采集大面积拼接(包括自动样品台移动),这点需要考虑到,尤其是当样品非常大或形状不规则时。
  • 探测器距离增大会显著降低信号。对于一个典型的设置,探测器退出3 mm将降低50%左右的信号,使得采集变慢。
  • 随着探测器距离的增大,立体角降低,投射到荧光屏上的衍射带减少。这也不利于标定。
  • 随着探测器距离的增大,衍射带将宽化。这可以帮助区分相(特别是使用衍射带宽度标定时),或用于更高角度精度的分析。下图的衍射花样采集自铁素体样品,探测器从完全插入退出了约40 mm。
  • 增大探测器距离可以改善电子通道衬度像。EBSD下方的FSD探测器采集电子通道衬度像,样品表面的形貌信号会随着探测器距离增大而减少。如以下两张图所示,离子束抛光的双相钢表面。
在不同的探测器距离处,从铁素体晶粒上采集的EBSD花样动画
离子束抛光的双相不锈钢的通道衬度像,探测器完全插入,信号主要反映样品制备的表面形貌。离子束抛光的双相不锈钢的通道衬度像,探测器退出10 mm,主要是取向衬度。
离子束抛光的双相不锈钢的通道衬度像,探测器完全插入,信号主要反映样品制备的表面形貌。离子束抛光的双相不锈钢的通道衬度像,探测器退出10 mm,主要是取向衬度。
用EBSD荧光屏下方的FSD探测器采集的双相不锈钢的通道衬度像。左:探测器完全插入,信号主要反映样品制备的表面形貌;右:探测器退出10 mm,更多晶体取向衬度。

要成功地采集TKD,需要优化电子束、样品和探测器的几何设置。不像传统的EBSD,TKD分析时,样品一般水平放置,或者稍微倾转远离EBSD探测器。

理想的几何设置展示在标注了样品仓的右图中:

对TKD分析必须考虑的几点:

  • 由于TKD分析主要是为了追求最高空间的分辨率,样品放置于短的工作距离更有利(以改进SEM分辨率)。
  • 样品水平放置时,空间分辨率最好,如图所示。如果必须要向后倾转,那么倾转角要尽量小(不高于20°)。
SEM样品仓图像,显示了离轴TKD的理想几何设置

样品仓照片展示了理想的TKD分析几何设置

  • 很多标准的TKD样品台预倾-20°(如图中),因此可以倾转电镜的样品台至20°,使样品呈水平状态。
  • 在水平位置,花样中心通常会出离荧光屏上边缘,以减少阴影问题。即使这样,理想的花样中心也不宜离荧光屏上边缘太远,以减少花样畸变效应。这可以通过调整样品台高度或探测器升降来优化。

相关产品

沪ICP备17031777号-1 公安机关备案号31010402003473